百货50条，全部是实用的玩意儿（ 04.07）

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全部非原位SEM证明导电NC封装和二维rGO的结合能有效缓解Sb2Se3在储钾过程中的体积膨胀。当Sb2Se3@NC@rGO复合材料用作PIBs的负极时，玩意在50mAg-1电流密度下可以提供590mAhg-1的高可逆比容量，玩意在500mAg-1电流密度下可以循环超过350次，保持250mAhg-1的高可逆比容量。

此外，百货由于K+的尺寸比Li+大得多，在PIBs中，基于转化/合金化负极的粉碎问题更为严重。图四、全部Sb2Se3@NC@rGO的储K机理分析（a-b）Sb2Se3@NC@rGO电极的原位XRD图谱和相应的GCD曲线。【小结】综上所述，玩意作者通过导电NC封装和二维rGO限域的组合策略，合成了Sb2Se3@NC@rGO复合材料。

首先将Sb2Se3纳米棒均匀地涂覆有导电的NC层，百货然后被限制在rGO纳米片之间。总之，全部该工作为设计用于高能量存储应用的高性能转换/合金化电极提供了有效的策略。

玩意（c）Sb2Se3@NC@rGO电极的前五圈CV曲线。

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